Tóm tắt: Thăng giáng mật độ điện tử hiện diện khắp nơi trong dữ liệu cường độ tán xạ tia X góc nhỏ (SAXS) nhưng ảnh hưởng rất lớn và nghiêm trọng đối với các cấu trúc được ghi nhận ở vùng vector tán xạ góc lớn bởi vì đóng góp của thăng giáng mật độ điện tử tại vùng này lớn hơn 90% trong tổng cường độ tán xạ. Vật liệu màng dẫn proton poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene) ghép mạch poly(styrene sulfonic acid) (ETFE-PEM) chứa các cấu trúc vi mô với các kích thước khác nhau gồm cấu trúc lamellar, cấu trúc vùng chuyển tiếp pha và cấu trúc vùng dẫn proton. Các cấu trúc này có mối quan hệ chặt chẽ với các tính chất của màng như tính dẫn proton, tính hấp thụ nước, độ bền cơ lý, độ bền hóa học, độ bền nhiệt và các tính chất khác nên có liên hệ với hiệu quả hoạt động và hiệu suất của pin nhiên liệu. Trong nghiên cứu này, chúng tôi sử dụng mô hình Vonk bậc 6 (Vonk 6) để đánh giá thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng lên các cấu trúc vừa nêu bằng phương pháp SAXS. Kết quả nghiên cứu cho thấy thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng mạnh mẽ lên bề dày vùng chuyển tiếp và cấu trúc vùng dẫn ion nhưng không đáng kể lên cấu trúc lamellar.
Từ khóa: ETFE-PEM, Tán xạ tia X góc nhỏ (SAXS), thăng giáng mật độ điện tử, pin nhiên liệu.
