Thiết kế cốc chiếu xạ sử dụng phương pháp màn chắn thử nghiệm pha tạp đơn tinh thể Silic trên lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt

128

Phạm Quang Huy, Nguyễn Nhị Điền, Nguyễn Kiên Cường, Trần Quốc Dưỡng, Võ Đoàn Hải Đăng, Trang Thế Đạt
Tóm tắt: Kỹ thuật chiếu xạ pha tạp đơn tinh thể Silic bằng neutron nhiệt (NTD-Si) trên các lò phản ứng nghiên cứu đã được triển khai có hiệu quả tại nhiều nước nhằm tạo ra các thiết bị bán dẫn có chất lượng cao. Tại Việt Nam, kỹ thuật NTD-Si đã được thử nghiệm trên lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt (LPƯ Đà Lạt) vào cuối những năm 1980 nhưng các kết quả thu được còn rất hạn chế. Do vậy, việc thiết kế và thử nghiệm cốc chiếu xạ phục vụ NTD-Si trên LPƯ Đà Lạt là cần thiết nhằm có được những hiểu biết đầy đủ hơn để có thể áp dụng kỹ thuật NTD-Si trên lò phản ứng nghiên cứu mới thuộc Trung tâm Nghiên cứu khoa học công nghệ hạt nhân (RCNEST) đã được lên kế hoạch xây dựng tại Việt Nam. Báo cáo này trình bày kết quả thiết kế và thử nghiệm cốc chiếu sử dụng phương pháp màn chắn để thử nghiệm NTD-Si trên LPƯ Đà Lạt. Các thông số quan trọng như phổ và phân bố thông lượng neutron nhiệt tại cốc chiếu xạ đã được xác định bằng thực nghiệm và tính toán sử dụng chương trình MCNP5. Việc chiếu xạ thử nghiệm trên các thỏi nhôm là vật liệu thay thế có tính chất về neutron tương đương Silic cũng được tiến hành nhằm khẳng định thiết kế phù hợp của cốc chiếu. Độ bất đồng đều về thông lượng neutron nhiệt nhỏ hơn 5% theo chiều cao và 2% theo bán kính trong cốc chiếu. Các kết quả thu được cho thấy cốc chiếu mới được thiết kế đảm bảo các yêu cầu thử nghiệm NTD-Si trên LPƯ Đà Lạt
Từ khóa: Chiếu xạ pha tạp đơn tinh thể Silic bằng neutron nhiệt (NTD-Si), MCNP5, LPƯ Đà Lạt (DNRR), phương pháp màn chắn, phương pháp kích hoạt lá dò, cốc chiếu xạ.

BÌNH LUẬN

Vui lòng nhập bình luận của bạn
Vui lòng nhập tên của bạn ở đây